Samsung ufficializza la realizzazione della prima RAM LPDDR5 a 8 gigabit per IA e 5G
Con un comunicato stampa rilasciato Martedì 17 Luglio 2018, Samsung Electronics ha annunciato lo sviluppo della prima DDR LPDDR5 a 8 gigabit di classe 10 nanometri del settore.
Nel comunicato viene rivelato che in realtà, l’azienda Coreana aveva già posto le basi per il futuro sviluppo delle memorie RAM LPDDR5 per IA e 5G, sin dal 2014, momento di messa in produzione dello standard LPDDR4 da 8 Gb.
Nello specifico la nuova tecnologia in questione, si aggiunge alla gamma DRAM premium di Samsung e segue, quindi, la DRAM GDDR6 da 16 Gb (in produzione da Dicembre 2017) e la DRAM DDR5 da 16 Gb (sviluppata a Febbraio 2018).
Ecco le parole di Jinman Han, vicepresidente senior di Memory Product Planning & Application Engineering di Samsung Electronics:
“Questo sviluppo di LPDDR5 da 8 GB rappresenta un importante passo in avanti per le soluzioni di memoria mobile a bassa potenza. Continueremo ad espandere la nostra gamma di DRAM di nuova generazione a 10 nm mentre acceleriamo il passaggio verso un maggiore utilizzo della memoria premium in tutto il panorama globale“.
Secondo la nota, si tratta di un’innovativa tecnologia dotata di una velocità dati che raggiunge i 6.400 megabit al secondo, circa 1,5 volte più veloce dei chip DRAM (LPDDR4X, 4266 Mb/s) utilizzati negli attuali dispositivi mobili di punta. Adesso con l’aumento della velocità di trasferimento, il nuovo LPDDR5 è in grado di inviare 51,2 GB di dati, o circa 14 file video FULL HD, di 3,7 GB ciascuno, in un secondo.
La DRAM LPDDR5 a 10 nm sarà disponibile in due diverse larghezze di banda: da 6,400 Mb/s con una tensione operativa 1,1 (V) e 5,500 Mb/s con 1,05 V. L’8Gb LPDDR5 utilizza inoltre un’architettura circuitale altamente ottimizzata per la velocità, che verifica e garantisce le prestazioni del chip.
Sulla base della propria larghezza di banda e sull’efficienza energetica, lo standard LPDDR5 potrà alimentare applicazioni di apprendimento automatico e di IA, e sarà anche UHD-compatibile per i dispositivi mobili di tutto il mondo.
Samsung, insieme ai principali fornitori di chip globali, ha completato il test funzionale e la convalida di un prototipo di DRAM LPDDR5 da 8 GB, che comprende otto chip LPDDR5 da 8 Gb. Attraverso l’utilizzo dell’infrastruttura di produzione all’avanguardia situata a Pyeongtaek, in Corea, l’azienda prevede l’avvio della produzione di massa delle proprie DRAM di nuova generazione: LPDDR5, DDR5 e GDDR6, in linea con le richieste dei clienti globali.
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